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Si3495DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
0.3
40
32
I D = 250 μA
0.2
24
0.1
0.0
16
T A = 25 °C
- 0.1
- 0.2
8
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -2
10 -1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Time (s)
Single Pulse Power
Limited by R DS(on) *
I DM Limited
10
P(t) = 0.001
1
0.1
I D(on)
Limited
T C = 25 °C
Single Pulse
P(t) = 0.01
P(t) = 0.1
P(t) = 1
P(t) = 10
DC
BVDSS Limited
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
t 2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 1
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 360 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10- 4
10- 3
10- 3
10- 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73135
S09-2110-Rev. C, 12-Oct-09
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